索尼开发出业内最高记录面密度磁带存储技术

(2017年8月2日，日本，东京)——索尼公司(下称“索尼”)宣布公司和位于瑞士苏黎世的IBM研发团队合作研发出一项磁带存储技术，即一种高达201 Gb/in2(每平方英寸千兆比特)的业内最高记录面密度的磁带存储介质*1。这项成果得以实现归功于索尼使用润滑剂的新型磁带存储技术，以及IBM苏黎世研发团队新研发的写/读磁头、先进伺服控制技术和创新信号处理算法。高达201Gb/in2的记录面密度，比常规的磁带存储介质*2(9.6 Gb/in2)大约20倍。这项技术支持每数据磁盒330TB*3的大容量存储，但是常规技术只支持每数据磁盒15TB。

这些研发结果由索尼和IBM苏黎世研发团队于2017年8月2日在日本筑波国际会展中心举行的第28届磁记录大会上联合发布。

近年来，物联网(IoT)的发展，云服务的普及以及大数据的应用帮助创造了新的市场，促进了对大容量数据存储介质需求的增加。此外，在确保信息系统中(例如数据库、服务器和信息安全管理等方面)的数据能可靠恢复方面，数据存储的重要性正在被重申。在这样的背景下，磁带由于众多优势显示出其作为存储介质的巨大潜力，包括长时间存储数据能力、低能耗、低成本以及空间节省能力等。

缩小磁带和磁头之间的距离(空隙)对于磁带存储介质实现高密度记录至关重要。减少的空隙会导致磁带表面和磁头之间的接触点摩擦增加，但是必须要减少摩擦，且磁带表面必须沿着磁头平滑行进才能实现高速度、高容量读写。索尼在建立这种新的磁带技术后，便研发出可以应用在磁带表面和磁头之间的润滑剂。这种低摩擦的润滑剂不仅减少了磁带表面和磁头之间的摩擦，而且在润滑剂和磁带的磁性层之间形成了牢固的粘合保护层。

此外，这项新技术可以创造出带有微型磁性颗粒、延长带长的纳米级磁性层*4。一般情况下，普遍的问题是在磁层形成期间，设备表面产生的杂质气体会导致晶体取向不统一和晶粒尺寸不一致。新研发的减少杂质气体的处理技术可与溅射淀积*5方法一起使用。溅射淀积是一种形成平均粒径为7nm的纳米级磁层的方法，会使带长延长。这些在加工技术方面的进步为生产可以容纳1000多米长磁带的磁带存储磁盒打下了基础。

*4纳米级磁性层：索尼原创的薄层带形成技术，可以在基板上形成一层均匀的纳米级磁性颗粒。这项技术优化了溅射条件，使基板表面的不均匀程度最小化，实现了微型磁性颗粒的均匀沉积。

*5溅射沉积：一种薄层形成方法。原理是使用静电放电迫使氩(Ar)离子与源材料(目标)碰撞，溅射的材料在基板上会沉淀形成一种薄层。

索尼将这项磁带技术和IBM苏黎世研发团队新研发出的写/读磁头、先进的伺服控制技术和创新的信号处理算法相结合，创造了业内最高*1的记录面密度——201 Gb/in2，比现在主流的磁粉膜磁带数据存储介质大约20倍。